东谱科技变温霍尔效应丈量仪 LolentX

  LolentX变温霍尔效应丈量仪大多数都用在研讨和丈量半导体资料的电学性质。LolentX经过范德堡丈量技能，可以在不同的温度条件下对半导体资料、薄膜的电阻率、载流子浓度、磁阻率、霍尔系数以及迁移率（判别载流子类型）等参数进行准确丈量，然后协助科研人员和工程师了解和表征资料的物理特性。LolentX包含霍尔效应丈量、变温恒温器和外加磁场三部分。选用共同的焦耳-汤姆逊渠道对样品进行高低温处理，无需液体冷冻剂处理，可以在不同的温度区间内进行准确的温度操控与丈量。

  在丈量过程中，LolentX运用四点范德堡的办法，经过霍尔丈量操控器来完成对样品的丈量。LolentX还可以运用电磁铁供给外加磁场，并有多种不同的电磁体可供挑选，以习惯不一样的试验需求。此外，LolentX的操作界面简略易用，试验成果由软件主动核算得到，用户界面友爱，大幅度的提升了试验的便利性和功率。它适用于各种半导体资料的丈量，包含Si、ZnO、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN等。总的来说，LolentX是一款功用强大、操作简略快捷、丈量准确的科研东西，大规模的使用于资料科学、电子技能、传感器技能等范畴，是了解和研讨半导体资料（特别是掺杂半导体资料）电学特性的必备东西。

  LolentX中心功用在于准确丈量半导体资料的多种要害电学参数，包含体载流子浓度与外表载流子浓度、载流子迁移率、霍尔系数、电阻率、方块电阻、磁致电阻以及电阻的纵横比率。经过选配变温丈量模块，可进一步获取上述参数随气温陪嫁品的特性。

  LolentX使用场景规模极为广泛，适用于各类半导体资料的研讨与表征，包含掺杂型有机半导体资料（P型和N型）；各类半导体薄膜（如Si,SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, AlZnO, FeCdTe, ZnO以及TCO通明导电氧化物，包含ITO等，P型和N型皆可）；自由基资料；以及本征半导体、低迁移率半导体、金属有机结构（MOF）、共价有机结构（COF）、二维半导体等多样化的资料系统。